দূর-ইনফ্রারেড সিরামিক হিটারের প্রযুক্তিগত নকশা নীতি
দূর-ইনফ্রারেড হিটিং সিস্টেমের গুণমানের মূল্যায়ন প্রধানত নির্ভর করে যে উত্তাপটি মূলত দীপ্তিমান উত্তাপের উপর ভিত্তি করে, পরিবাহী এবং পরিচলন উত্তাপ দ্বারা পরিপূরক। তেজস্ক্রিয় গরম করার অনুপাত যত বেশি হবে, সিস্টেমের কার্যকারিতা তত ভাল।
দূর-ইনফ্রারেড শ্রমিকরা বহু সংখ্যক দূর-ইনফ্রারেড শুকানোর টানেল এবং ওভেনের তাপ শক্তি রূপান্তর দক্ষতা পরিমাপ এবং তাত্ত্বিকভাবে অধ্যয়ন করার পরে। 1980-এর দশকের মাঝামাঝি, বিকিরণ শুকানোর টানেল নির্ধারণের জন্য দুটি পদ্ধতি প্রস্তাব করা হয়েছিল: একটি হল শুকানোর টানেলের ভিতরে স্থানের তাপমাত্রা এবং উপাদানটির পৃষ্ঠের তাপমাত্রা পরিমাপ করা। শুধুমাত্র যখন T স্পেস
সুদূর ইনফ্রারেড সিরামিক হিটার পাইকারি
দূরের ইনফ্রারেড হিটিং প্রযুক্তির ডিজাইন নীতি
বছরের পর বছর গবেষণা এবং ব্যবহারিক আলোচনার পর, বিজ্ঞানীরা দূর-ইনফ্রারেড ড্রাইং টানেল এবং ওভেনের জন্য নিম্নলিখিত তিনটি নকশা নীতির সংক্ষিপ্তসার করেছেন:
(1) ইউনিফর্ম রেডিয়েশন ফিল্ড ডিজাইন: ইউনিফর্ম রেডিয়েশন ফিল্ড ডিজাইনের লক্ষ্য হল ওয়ার্কপিসের পৃষ্ঠ দ্বারা প্রাপ্ত বিকিরণ শক্তি যেখানেই চলুক না কেন অভিন্ন তা নিশ্চিত করা। ইউনিফর্ম রেডিয়েশন ফিল্ড ডিজাইন হল বিকিরণ অপটিক্সের নীতি ব্যবহার করে ডেটার একটি সেট গণনা করা, যথা: উপাদান বিন্যাস, উপাদান ব্যবধান, প্রতিফলক ফর্ম, উপাদান এবং ওয়ার্কপিস দূরত্ব। যাতে উপাদানগুলির মধ্যে 100-350 মিমি এবং উপাদান এবং ওয়ার্কপিসের মধ্যে 50-400 মিমি গুণগত নকশা থেকে মুক্তি পাওয়া যায়।
(2) অভিন্ন তাপমাত্রা ক্ষেত্রের নকশা: শুকানোর টানেলের অভিন্ন তাপমাত্রার ক্ষেত্রটিকে ধ্বংস হওয়া থেকে রক্ষা করার জন্য, শুকানোর টানেলের উপরের এবং নীচের বাম এবং ডানের মধ্যে তাপমাত্রার পার্থক্য ±5～10℃ রাখতে হবে।
(3) অভিন্ন তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ প্রযুক্তি ডিজাইন: অন-অফ তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ বড় স্থানীয় তাপমাত্রার ওঠানামার দিকে পরিচালিত করে। থাইরিস্টর ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণ উপাদানটির বিকিরণ হ্রাস করবে এবং পরিচলন প্রভাবকে বাড়িয়ে তুলবে। তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ করার জন্য একটি পাওয়ার রেগুলেটরের প্রয়োগ দূর-ইনফ্রারেড প্রযুক্তিকে পরিপূর্ণতার বিন্দুতে পৌঁছে দেয়।